查看今日求购信息┊创建产品目录┊加入企业库┊发布供应信息┊发布求购信息┊发布企业招聘┊会员帮手┊注册会员┊
 本站搜索：
 
 如何找? 如何贸易?
当前位置：首页>>资讯行情>>凌力尔特推出100V高端/低端N沟道高速MOSFET驱动器
　资讯行情类别导航
　按综合类别显示：
　按专题类别显示：
http://www.dianzinet.com 时间：2008-06-16
    
100V高端/低端N沟道高速MOSFET驱动器

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)日前推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET 驱动器 LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的 DC/DC 控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。


这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流，而以 0.55Ω 下拉阻抗驱动同步 MOSFET 时可提供 3A 的电流，从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动一个 1000pF 负载时，高端 MOSFET 的快速 8ns 上升时间和 5ns 下降时间、以及低端 MOSFET 的 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。


LTC4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源，在比地电平高 114V 时还可以工作。另外，该器件在 7.2V 至 13.5V 的电压范围内同时驱动高端和低端 MOSFET 栅极。

LTC4446EMS8 和 LTC4446IMS8 采用耐热增强型 MSOP-8 封装，以 1000 片为单位批量购买，每片价格为 1.69 美元。


LTC4446性能概要：
高端/低端 N 沟道 MOSFET 驱动器；
最高电源电压为 100V；
非常适用于双晶体管正激式转换器；
高压开关应用；
大驱动电流：在下拉阻抗为 0.55Ω 时提供 3A 电流；
7.2V 至 13.5V 的栅极驱动电压；
高端栅极：驱动 1000pF 负载时上升时间为 8ns，下降时间为 5ns；
低端栅极：驱动 1000pF 负载时上升时间为 6ns，下降时间为 3ns；
为栅极驱动电压提供欠压闭锁；
耐热增强型 MSOP-8 封装
系列资讯
·TI与Logic联合推出用于开发超小型医疗设备的OMAP35x开发套件　[2008-06-16 08:51:17]
·ADI推出新款专门设计数字电源控制器　[2008-04-07 21:24:42]
·短波收音机仍是热门，Silicon Labs首推高集成的数字短波方案　[2007-11-27 09:38:14]
·R&S新型高档频谱分析仪面向无线宽带测试　[2007-11-26 09:05:24]
·目录分销商Mouser库存欧姆龙小型检测开关　[2007-11-24 14:27:36]
·高压开关：从超高压向特高压跨越　[2007-11-24 14:28:09]
·飞思卡尔推四通道高边开关MC33580/33874　[2007-11-24 14:28:19]
·飞兆推出高集成度绿色Green FPS功率开关　[2007-11-24 14:28:29]
·研诺逻辑发布双速率可控负载开关AAT4282A　[2007-11-24 14:28:44]
·国半发布两款低抖动LVDS 2×2交叉点开关　[2007-11-22 15:00:26]
　
中国电子工业网 © 版权所有 2006